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BUW12AW/B

更新时间: 2024-02-27 05:02:35
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 281K
描述
TRANSISTOR

BUW12AW/B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65最大集电极电流 (IC):8 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

BUW12AW/B 数据手册

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