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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | PLASTIC, SOT-186, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 4800 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUT11F/11AF | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switching Applications |
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| BUT11FI | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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| BUT11FTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BUT11J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT11TU | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| BUT11TU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN芯片晶体管 |
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| BUT11XI | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUT12 | NXP |
获取价格 |
Silicon diffused power transistors |
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| BUT12 | Wing Shing |
获取价格 |
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
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| BUT12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switching Applications |
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