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BUT11FTU PDF预览

BUT11FTU

更新时间： 2024-11-15 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关高压
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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BUT11FTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.65
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUT11FTU 数据手册

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BUT11/11A  
High Voltage Power Switching Applications  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
CBO  
: BUT11  
: BUT11A  
850  
1000  
V
CEO  
: BUT11  
: BUT11A  
400  
450  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
9
V
A
EBO  
I
I
I
I
5
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
10  
A
CP  
B
2
4
A
*Base Current (Pulse)  
A
BP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BUT11  
: BUT11A  
I
= 100mA, I = 0  
400  
450  
V
V
C
B
I
I
Collector Cut-off Current  
: BUT11  
CES  
V
V
= 850V, V = 0  
1
1
mA  
mA  
CE  
BE  
: BUT11A  
Emitter Cut-off Current  
= 9V, I = 0  
10  
mA  
EBO  
BE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
CE  
: BUT11  
: BUT11A  
I
I
= 3A, I = 0.6A  
= 2.5A, I = 0.5A  
B
1.5  
1.5  
V
V
C
C
B
V
(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
BE  
: BUT11  
: BUT11A  
I
I
= 3A, I = 0.6A  
= 2.5A, I = 0.5A  
B
1.3  
1.3  
V
V
C
C
B
t
t
Turn On Time  
Storage Time  
Fall Time  
V
= 250V, I = 2.5A  
1
4
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
I
= -I = 0.5A  
B1  
B2  
STG  
F
R = 100Ω  
L
t
0.8  
* Pulsed: pulsed duration = 300µs, duty cycle = 1.5%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
1.25  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
θjC  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, August 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUT11J69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BUT11TU ROCHESTER

获取价格

 		5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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