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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 450 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 4800 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUT12AI | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUT12AI,127 | NXP |
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BUT12AI |
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| BUT12AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT12ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BUT12AX | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BUT12AX | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BUT12F | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BUT12F | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BUT12F | NXP |
获取价格 |
Silicon diffused power transistors |
|
| BUT12J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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