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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUT11XI | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUT12 | NXP |
获取价格 |
Silicon diffused power transistors |
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| BUT12 | Wing Shing |
获取价格 |
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
|
| BUT12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switching Applications |
|
| BUT12 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BUT12 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BUT12A | NXP |
获取价格 |
Silicon diffused power transistors |
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| BUT12A | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Switching Applications |
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| BUT12A | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BUT12A | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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