BUT12AI

更新时间： 2024-11-13 22:27:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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7页	69K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUT12AI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	14	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	110 W	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	4800 ns
最大开启时间（吨）：	1000 ns	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

BUT12AI 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BUT12AI

GENERAL DESCRIPTION

Improved high-voltage, high-speed glass-passivated npn power transistor in a TO220AB envelope specially suited

for use in overhead/high frequency lighting ballast applications and converters, inverters, switching regulators,

motor control systems, etc.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

1000

450

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Total power dissipation

Collector-emitter saturation voltage

Collector saturation current

Inductive fall time

P_tot

_hs≤ 25 ˚C

110

1.5

V_CEsat

I_Csat

t_f

I_C= 5 A; I_B= 0.86A

I_Con= 5 A; I_Bon= 1.0 A;T_j≤ 100˚C

300

PINNING - TO220AB

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

base

collector

emitter

tab collector

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

1000

450

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

I_B

Collector current peak value

Base current (DC)

110

150

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base current peak value

Total power dissipation

Storage temperature

T_hs≤ 25 ˚C

˚C

-65

Junction temperature

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

R_{th j-hs}

R_{th j-a}

Junction to heatsink

Junction to ambient

with heatsink compound

in free air

1.15

K/W

June 1997

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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BUT12AX	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUT12AX	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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BUT12F	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
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