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BUT18

更新时间: 2024-11-13 22:48:35
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 72K
描述
Silicon diffused power transistors

BUT18 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
其他特性:FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:110 W
最大功率耗散 (Abs):110 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):4800 ns最大开启时间(吨):1000 ns
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

BUT18 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BUT18; BUT18A  
Silicon diffused power transistors  
1999 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Aug 13  

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