BUT131H

更新时间： 2024-11-14 06:44:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	108K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUT131H 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BUT131H 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUT131H

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 450V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in converters, inverters, switching

regulators, motor control systems etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage V_BE= 0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

850

450

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.56

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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