BUT11FI

更新时间： 2024-11-15 06:44:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	217K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BUT11FI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BUT11FI 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUT11FI

DESCRIPTION

·High Voltage

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Converters

·Inverters

·Switching regulators

·Motor control systems

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage V_BE= 0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

850

400

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_CM

I_B

I_BM

Base Current-Peak

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

3.57

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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