5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | TO-251, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 1.69 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 4900 ns | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KSH13003 | FAIRCHILD |
功能相似  |
High Voltage Power Transistor D-PACK for Surface Mount Applications |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BULD118D-1_01 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
|
| BULD125KC | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
|
| BULD125KC | TRSYS |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
|
| BULD128D-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
|
| BULD128D-1-A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
|
| BULD128D-1-B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
|
| BULD128DA1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
|
| BULD128DA-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
|
| BULD128DB1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
|
| BULD128DB-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
