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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BULD128DB1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
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| BULD128DB-1 | STMICROELECTRONICS |
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4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
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| BULD138 | ETC |
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| BULD138-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
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| BULD25 | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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| BULD25D | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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| BULD25DR | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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| BULD25SL | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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| BULD26 | ETC |
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| BULD26-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251 |
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