BULD742CT4

更新时间： 2024-09-26 03:23:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关高压
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12页	317K
描述
High voltage fast-switching

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BULD742CT4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DPAK, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.25	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BULD742CT4 数据手册

BULD742C

High voltage fast-switching

NPN power transistor

Features

■ Low spread of dynamic parameters

■ High voltage capability

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

Applications

DPAK

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

■ Switch mode power supplies

Description

The device is manufactured using high voltage

Multi-Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and high voltage capability.

Thanks to an increased intermediate layer, it has

an intrinsic ruggedness which enables the

transistor to withstand an high collector current

level during breakdown condition, without using

the transil protection usually necessary in typical

converters for lamp ballast.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Order code

BULD742CT4

Device summary

Marking

Package

Packaging

BULD742C

DPAK

Tape & reel

August 2007

Rev 1

1/12

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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