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BULD3P5T4

更新时间： 2024-09-26 20:01:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	250K
描述
3A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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BULD3P5T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	22 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BULD3P5T4 数据手册

BULD3P5T4

Medium voltage fast-switching PNP Power Transistor

General features

■ Medium voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ In compliance with the 2002/93/EC European

Directive

DPAK

Description

The device is manufactured using high voltage

Multi-Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintaining the wide RBSOA.

Internal schematic diagram

The device is expressly designed for a new

solution to be used in compact fluorescent lamps,

H.F. ballast voltage FED where it is coupled with

the BULD3N7T4, its complementary NPN

transistor.

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

Order codes

Part Number

Marking

Package

DPAK

Packing

BULD3P5T4

BULD3P5

Tape & Reel

June 2006

Rev 1

1/10

www.st.com

12 3 4 5 6 7...10

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