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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BULD128D-1-B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
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| BULD128DA1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
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| BULD128DA-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
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| BULD128DB1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
|
| BULD128DB-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
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| BULD138 | ETC |
获取价格 |
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| BULD138-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
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| BULD25 | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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| BULD25D | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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| BULD25DR | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE |
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