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BUL381

更新时间： 2024-11-28 22:17:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	76K
描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUL381 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	70 W	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	3000 ns
最大开启时间（吨）：	1000 ns	VCEsat-Max：	1.1 V
Base Number Matches：	1

BUL381 数据手册

BUL381

BUL382

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

STM PREFERRED SALESTYPES

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLEOPERATION

■

VERY HIGH SWITCHING SPEED

FULLY CHARACTERISED AT 125^oC

APPLICATIONS

■

ELECTRONIC BALLASTSFOR

FLUORESCENT LIGHTING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

■

TO-220

DESCRIPTION

The BUL381 and BUL382 manufactured using

high voltage Multiepitaxial Mesa technology for

cost-effective high performance. They use a

Hollow Emitter structure to enhance switching

speeds.

The BUL series is designed for use in lighting

applications and low cost switch-mode power

supplies.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

800

400

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/7

June 1998

12 3 4 5 6 7

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