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BUL42D

更新时间： 2024-09-25 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 180K
描述
4 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS POWER TRANSISTOR

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BUL42D 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUL42D 数据手册

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BUL42D  
High Speed, High Gain  
Bipolar NPN Transistor  
Integrating an  
Antisaturation Network and  
a Transient Voltage  
Suppression Capability  
http://onsemi.com  
4 AMPERES  
700 VOLTS  
75 WATTS  
The BUL42D is a state–of–the–art bipolar transistor. Tight dynamic  
characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable  
for light ballast applications.  
POWER TRANSISTOR  
Main Features:  
• Free Wheeling Diode Built In  
• Flat DC Current Gain  
• Fast Switching Times and Tight Distribution  
• “Six Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter  
Spreads  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
400  
700  
700  
9
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
MARKING  
DIAGRAM  
V
CES  
EBO  
V
TO–220  
CASE 221A  
STYLE 1  
BUL  
42D  
YWW  
Collector Current – Continuous  
– Peak (Note 1)  
I
C
4.0  
8.0  
I
I
CM  
Base Current – Continuous  
– Peak (Note 1)  
I
B
1.0  
2.0  
Adc  
BM  
*Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
75  
0.6  
Watt  
W/_C  
_C  
C
D
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
*Derate above 25_C  
Operating and Storage Temperature  
TYPICAL GAIN  
T , T  
J
–65 to +150  
stg  
Typical Gain @ I = 1 A, V = 2 V  
h
h
13  
16  
–
–
C
CE  
FE  
FE  
Typical Gain @ I = 0.3 A, V = 1 V  
C
CE  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Device  
BUL42D  
Package  
Shipping  
Symbol  
Value  
Unit  
TO–220  
50 Units/Rail  
Thermal Resistance –  
Junction–to–Case  
R
1.66  
°C/W  
θ
JC  
JA  
L
Thermal Resistance –  
Junction–to–Ambient  
R
62.5  
260  
°C/W  
°C  
θ
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
Purposes: 1/8″ from Case for 5 seconds  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%  
1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 1  
BUL42D/D  
1234567...12

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BUL42D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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功能相似

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功能相似

 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

与BUL42D相关器件

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BUL43BAF ONSEMI

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 		TRANSISTOR 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
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