BUL3N7

更新时间： 2024-09-26 03:23:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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10页	201K
描述
MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUL3N7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUL3N7 数据手册

BUL3N7

MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

Features

■ MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY

■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLE OPERATION

■ VERY HIGH SWITCHING SPEED

Applications

■ ELECTRONIC BALLASTS FOR

TO-220

FLUORESCENT LIGHTING

Description

The BUL3N7 is manufactured using high voltage

Multi-Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

Internal Schematic Diagram

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintaining the wide RBSOA.

The device is expressly designed for a new

solution to be used in compact fluorescent lamps,

H.F. ballast voltage FED where it is coupled with

the BUL3P5, its complementary PNP transistor.

Order Codes

Part Number

Marking

Package

Packing

BUL3N7

TO-220

TUBE

rev.1

1/10

December 2005

www.st.com

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUL3P5	STMICROELECTRONICS	获取价格	MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR
BUL410	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB
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BUL416	STMICROELECTRONICS	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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