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BUK78150-55A,115

更新时间： 2024-11-29 14:50:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	744K
描述
BUK78150-55A - N-channel TrenchMOS standard level FET SC-73 4-Pin

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BUK78150-55A,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SC-73, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	25 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.5 A	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	8 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK78150-55A,115 数据手册

BUK78150-55A

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 16 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

5.5

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_sp= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 5 A;

T_j= 150 °C;

see Figure 12; see Figure 13

278 mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 5 A;

128 150 mΩ

T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 5 A; V_sup≤ 55 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

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BUK78150-55A,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK98150-55,135	NXP	类似代替	2.6A, 55V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
PHT6N06T,135	NXP	类似代替	PHT6N06T - N-channel TrenchMOS standard level FET SC-73 4-Pin

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK78150-55A,135	NXP	获取价格	BUK78150-55A - N-channel TrenchMOS standard level FET SC-73 4-Pin
BUK78150-55A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 5.5 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET
BUK78150-55ATRL	NXP	获取价格	5.5A, 55V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK78150-55ATRL13	NXP	获取价格	5.5A, 55V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK78150-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| SOT-223
BUK7830-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7840-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7840-55,115	NXP	获取价格	BUK7840-55
BUK7840-55T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 10.7 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PI
BUK7880-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET

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