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BUK7907-55AIE

更新时间: 2024-11-28 22:05:31
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
15页 135K
描述
TrenchPLUS standard level FET

BUK7907-55AIE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:PLASTIC, TO-220, 5 PIN针数:5
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.19雪崩能效等级(Eas):460 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A最大漏源导通电阻:0.007 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):272 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):560 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUK7907-55AIE 数据手册

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BUK71/7907-55AIE  
TrenchPLUS standard level FET  
Rev. 01 — 12 August 2002  
Product data  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance, TrenchPLUS  
current sensing and diodes for ESD protection.  
Product availability:  
BUK7107-55AIE in SOT426 (D2-PAK)  
BUK7907-55AIE in SOT263B (TO-220AB).  
1.2 Features  
Integrated current sensor  
ESD protection  
Q101 compliant  
Standard level compatible.  
1.3 Applications  
Variable Valve Timing for engines  
Electrical Power Assisted Steering.  
1.4 Quick reference data  
VDS 55 V  
ID 140 A  
RDSon = 5.8 m(typ)  
ID/Isense = 500 (typ).  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT426 and SOT263B, simplified outline and symbol  
Simplified outline  
Pin Description  
Symbol  
1
2
3
4
5
gate (g)  
mb  
d
Isense  
mb  
drain (d)  
Kelvin source  
source (s)  
g
1
2 3 4 5  
mb mounting base;  
connected to drain (d)  
s
I
MBL368  
sense  
Kelvin source  
Front view  
MBK127  
1
5
MBL263  
SOT426 (D2-PAK)  
SOT263B (TO-220AB)  
 
 
 
 
 

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-263