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BUK7907-40ATC,127

更新时间： 2024-11-11 15:44:35
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
15页 223K
描述
N-channel TrenchPLUS standard level FET TO-220 5-Pin

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BUK7907-40ATC,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220包装说明：PLASTIC, TO-220, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：1400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：272 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：560 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK7907-40ATC,127 数据手册

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BUK7907-40ATC  
N-channel TrenchPLUS standard level FET  
Rev. 02 — 10 February 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS diodes for  
clamping and temperature sensing. This product has been designed and qualified to the  
appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ Allows responsive temperature  
monitoring due to integrated  
temperature sensor  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
„ Q101 compliant  
1.3 Applications  
„ Electrical Power Assisted Steering  
„ Variable Valve Timing for engines  
(EPAS)  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C;  
[1]  
[2]  
-
-
-
-
40  
75  
V
A
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 2; see Figure 3  
Static characteristics  
RDSon  
drain-source  
on-state resistance  
VGS = 10 V; ID = 50 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 7;  
see Figure 8  
-
5.8  
7
mΩ  
SF(TSD)  
temperature sense  
diode temperature  
coefficient  
IF = 250 µA; Tj > -55 °C;  
Tj < 175 °C  
-1.4  
648  
25  
-1.54 -1.68 mV/K  
VF(TSD)  
temperature sense  
diode forward  
voltage  
IF = 250 µA; Tj = 25 °C  
658  
32  
668  
50  
mV  
mV  
VF(TSD)hys temperature sense  
diode forward  
IF < 250 µA; Tj = 25 °C;  
IF > 125 µA  
voltage hysteresis  
[1] Voltage is limited by clamping.  
[2] Continuous current is limited by package.  
 
 
 
 
 
 
 
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