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BUK78150-55A/T3

更新时间： 2024-11-29 19:50:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	317K
描述
TRANSISTOR 5.5 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET General Purpose Power

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BUK78150-55A/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
雪崩能效等级（Eas）：	25 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK78150-55A/T3 数据手册

BUK78150-55A

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 16 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

5.5

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_sp= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 5 A;

T_j= 150 °C;

see Figure 12; see Figure 13

278 mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 5 A;

128 150 mΩ

T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 5 A; V_sup≤ 55 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BUK78150-55ATRL13	NXP	获取价格	5.5A, 55V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK78150-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| SOT-223
BUK7830-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7840-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7840-55,115	NXP	获取价格	BUK7840-55
BUK7840-55T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 10.7 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PI
BUK7880-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7880-55,135	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET SC-73 4-Pin
BUK7880-55/CU	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET

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