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BUK7660-100A

更新时间: 2024-11-25 22:50:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 299K
描述
TrenchMOS standard level FET

BUK7660-100A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC, D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.22
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):110 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):26 A
最大漏极电流 (ID):26 A最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):106 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):106 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUK7660-100A 数据手册

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BUK7560-100A;  
BUK7660-100A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 22 February 2001  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK7560-100A in SOT78 (TO-220AB)  
BUK7660-100A in SOT404 (D2-PAK).  
2. Features  
TrenchMOS™ technology  
Q101 compliant  
175 °C rated  
Standard level compatible.  
3. Applications  
Automotive and general purpose power switching:  
12 V, 24 V and 42 V loads  
c
c
Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
g
MBB076  
2
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  

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