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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK7660-100A
BUK7660-100A PDF预览

BUK7660-100A

更新时间： 2024-11-10 22:50:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 299K
描述
TrenchMOS standard level FET

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BUK7660-100A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：106 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：106 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK7660-100A 数据手册

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BUK7560-100A;  
BUK7660-100A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 22 February 2001  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK7560-100A in SOT78 (TO-220AB)  
BUK7660-100A in SOT404 (D2-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 175 °C rated  
■ Standard level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching:  
◆ 12 V, 24 V and 42 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
g
MBB076  
2
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
1234567...15

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BUK7660-100A 替代型号

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