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BUK7618-55,118

更新时间： 2025-07-19 19:03:55

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安世 - NEXPERIA		/
页数	文件大小	规格书
12页	708K
描述
元器件封装:D2PAK;

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BUK7618-55,118 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	0.54
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	57 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	228 A	参考标准：	IEC-134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7618-55,118 数据手册

BUK7618-55

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 2 — 26 April 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Electrostatically robust due to

integrated protection diodes

1.3 Applications

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

T_mb= 25 °C

P_tot

total power dissipation

125

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Avalanche ruggedness

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

mΩ

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 50 A; V_sup≤ 25 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

125 mJ

avalanche energy

12 3 4 5 6 7...12

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BUK7618-55,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7618-55	NXP	功能相似	TrenchMOS transistor Standard level FET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7618-55/T3	NXP	获取价格	57A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
BUK7618-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 57A I(D) \| SOT-404
BUK7619-100B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7619-100B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7619-100B,118	NXP	获取价格	BUK7619-100B - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK761R3-30E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK761R4-30E	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK761R4-30E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK761R5-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK761R5-40EJ	NXP	获取价格	元器件封装:D2PAK;

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