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BUK6213-30C,118

更新时间： 2024-11-29 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
14页 157K
描述
BUK6213-30C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin

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BUK6213-30C,118 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.74Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

BUK6213-30C,118 数据手册

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BUK6213-30C  
N-channel TrenchMOS intermediate level FET  
Rev. 01 — 4 October 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)  
in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been  
designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance  
automotive applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
„ Suitable for standard and logic level  
gate drives  
1.3 Applications  
„ 12 V automotive systems  
„ Start-Stop micro-hybrid applications  
„ Transmission control  
„ Electric and electro-hydraulic power  
steering  
„ Ultra high performance power  
„ Motors, lamps and solenoid control  
switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
30  
47  
V
A
ID  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1  
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
60  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
VGS = 10 V; ID = 10 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 11  
11.9 14  
mΩ  
ID = 47 A; Vsup ≤ 30 V;  
drain-sourceavalanche RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
-
-
-
30  
-
mJ  
nC  
energy  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
Tj(init) = 25 °C; unclamped  
ID = 25 A; VDS = 24 V;  
VGS = 10 V; see Figure 13;  
see Figure 14  
4.77  
 
 
 
 
 
1234567...14

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BUK6213-30C,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD60N3LH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO
NTD4815NT4G ONSEMI

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NTD20N03L27T4G ONSEMI

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 Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK6215-75C NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET
BUK6215-75C,118 NXP

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BUK6218-40C NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET DPAK 3-Pin
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 		22A, 75V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3/2

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