BUK6226-75C

更新时间： 2024-11-29 12:56:11

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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14页	207K
描述
N-channel TrenchMOS FET Rev. 01 â 4 October 2010

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BUK6226-75C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	42 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	33 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK6226-75C 数据手册

BUK6226-75C

N-channel TrenchMOS FET

Rev. 01 — 4 October 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)

in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been

designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance

automotive applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

Suitable for standard and logic level

gate drive sources

1.3 Applications

12 V and 24 V Automotive systems

Start-Stop micro-hybrid applications

Transmission control

Electric and electro-hydraulic power

steering

Ultra high performance power

Motors, lamps and solenoid control

switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Avalanche ruggedness

V_GS= 10 V; I_D= 12 A;

T_j= 25 °C; see Figure 11

24.5 29

mΩ

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source avalanche

energy

I_D= 33 A; V_sup≤ 75 V;

_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

I_D= 25 A; V_DS= 60 V;

V_GS= 10 V; see Figure 13;

see Figure 14

9.4

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK6226-75C,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS FET DPAK 3-Pin
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BUK6228-55C,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin
BUK6240-75C	NXP	获取价格	TRANSISTOR 22 A, 75 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP
BUK6240-75C,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS FET DPAK 3-Pin
BUK6246-75C	NXP	获取价格	22A, 75V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3/2
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