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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0083 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 490 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK625R0-40C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
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| BUK625R2-30C | NXP |
获取价格 |
90A, 30V, 0.0095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3/2 |
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| BUK626R2-40C,118 | ETC |
获取价格 |
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK |
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| BUK627-400A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK627-400B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK627-450B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK627-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK627-500B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK627-500C | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK627-600A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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