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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK637-600C | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK638-1000 | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK638-1000A | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK638-1000B | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK638-500B | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK638-800 | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK638-800A | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK638-800B | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK6507-55C | NXP |
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TRANSISTOR 100 A, 55 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46 |
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| BUK6507-55C,127 | NXP |
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BUK6507-55C - N-channel TrenchMOS logic and standard level FET TO-220 3-Pin |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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