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BUK6507-75C

更新时间： 2024-11-29 12:52:43
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恩智浦 - NXP /
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14页 185K
描述
N-channel TrenchMOS FET

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BUK6507-75C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：191 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0103 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：406 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK6507-75C 数据手册

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BUK6507-75C  
N-channel TrenchMOS FET  
Rev. 02 — 4 October 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)  
in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been  
designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance  
automotive applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
„ Suitable for intermediate level gate  
drive sources  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V Automotive systems  
„ Start-Stop micro-hybrid applications  
„ Transmission control  
„ Electric and electro-hydraulic power  
steering  
„ Ultra high performance power  
„ Motors, lamps and solenoid control  
switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
75  
V
A
[1]  
ID  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1  
100  
Ptot  
total power dissipation  
Tmb = 25 °C;  
see Figure 2  
-
-
-
204  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 11  
6.5 7.6 mΩ  
1234567...14

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与BUK6507-75C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK6510-75C NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET AEC Q101 compliant
BUK6510-75C,127 NXP

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 		BUK6510-75C - N-channel TrenchMOS FET TO-220 3-Pin
BUK652R0-30C NXP

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 		TRANSISTOR 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46
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 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-220 3-Pin
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 		TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.0051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46
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 		TRANSISTOR 120 A, 55 V, 0.0048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46
BUK653R7-30C NXP

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 		TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46

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