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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK638-800B | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK6507-55C | NXP |
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TRANSISTOR 100 A, 55 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46 |
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| BUK6507-55C,127 | NXP |
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BUK6507-55C - N-channel TrenchMOS logic and standard level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK6507-75C | NXP |
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N-channel TrenchMOS FET |
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| BUK6510-75C | NXP |
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N-channel TrenchMOS FET AEC Q101 compliant |
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| BUK6510-75C,127 | NXP |
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BUK6510-75C - N-channel TrenchMOS FET TO-220 3-Pin |
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| BUK652R0-30C | NXP |
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TRANSISTOR 120 A, 30 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46 |
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| BUK652R1-30C,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK652R3-40C | NXP |
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N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
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| BUK652R6-40C | NXP |
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TRANSISTOR 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46 |
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