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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 242 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0062 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 599 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK653R7-30C,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK654R0-75C | NXP |
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TRANSISTOR 120 A, 75 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, |
|
| BUK654R0-75C,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS FET TO-220 3-Pin |
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| BUK654R6-55C | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, |
|
| BUK654R6-55C,127 | NXP |
获取价格 |
BUK654R6-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK654R8-40C | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 A, 40 V, 0.0079 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46 |
|
| BUK654R8-40C,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK655-450B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK655-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK655-500B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-220AB |
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