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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK637-400B | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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| BUK637-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK637-500A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK637-500B | NXP |
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TRANSISTOR 10 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK637-500B | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK637-500C | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK637-600A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK637-600B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK637-600C | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK638-1000 | NXP |
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PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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