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BUK6218-40C

更新时间： 2024-11-29 19:51:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 182K
描述
42A, 40V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3

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BUK6218-40C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-252包装说明：PLASTIC, SC-63, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：25 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：168 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK6218-40C 数据手册

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BUK6218-40C  
N-channel TrenchMOS intermediate level FET  
Rev. 1 — 4 October 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)  
in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and  
qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
„ Suitable for standard and logic level  
gate drive sources  
1.3 Applications  
„ 12 V Automotive systems  
„ Start-Stop micro-hybrid applications  
„ Transmission control  
„ Electric and electro-hydraulic power  
steering  
„ Ultra high performance power  
„ Motors, lamps and solenoids  
switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
40  
42  
60  
V
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
see Figure 2  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 10 A;  
-
13.5 16  
mΩ  
on-state  
Tmb = 25 °C; see Figure 11  
resistance  
 
 
 
 
 
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与BUK6218-40C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK6226-75C NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET Rev. 01 — 4 October
BUK6226-75C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET DPAK 3-Pin
BUK6228-55C NXP

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 		31A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BUK6228-55C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin
BUK6240-75C NXP

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 		TRANSISTOR 22 A, 75 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP
BUK6240-75C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS FET DPAK 3-Pin
BUK6246-75C NXP

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 		22A, 75V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3/2
BUK6246-75C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin
BUK624R5-30C NXP

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 		90A, 30V, 0.0075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
BUK624R5-30C,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin

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