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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 153 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 455 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK6207-55C | NXP |
获取价格 |
90A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
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| BUK6207-55C,118 | NXP |
获取价格 |
BUK6207-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
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| BUK6208-40C | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
|
| BUK6208-40C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
|
| BUK6209-30C | NXP |
获取价格 |
50A, 30V, 0.0192ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
|
| BUK6209-30C,118 | ETC |
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MOSFET N-CH 30V 50A DPAK |
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| BUK6210-55C | NXP |
获取价格 |
78A, 55V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
|
| BUK6210-55C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
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| BUK6211-75C | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS FET |
|
| BUK6211-75C,118 | NXP |
获取价格 |
BUK6211-75C - N-channel TrenchMOS FET DPAK 3-Pin |
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