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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-227 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 29 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 600 pF | JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 310 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 116 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 1700 ns | 最大开启时间（吨）： | 370 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK617-500BE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK6207-30C | NXP |
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TRANSISTOR 90 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, D |
|
| BUK6207-55C | NXP |
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90A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
|
| BUK6207-55C,118 | NXP |
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BUK6207-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
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| BUK6208-40C | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
|
| BUK6208-40C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
|
| BUK6209-30C | NXP |
获取价格 |
50A, 30V, 0.0192ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
|
| BUK6209-30C,118 | ETC |
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MOSFET N-CH 30V 50A DPAK |
|
| BUK6210-55C | NXP |
获取价格 |
78A, 55V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
|
| BUK6210-55C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin |
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