BUK583-60A

更新时间： 2024-11-28 22:13:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	57K
描述
PowerMOS transistor Logic level FET

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BUK583-60A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	160 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	170 ns	最大开启时间（吨）：	75 ns
Base Number Matches：	1

BUK583-60A 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

PowerMOS transistor

Logic level FET

BUK583-60A

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

N-channel enhancement mode

logic level field-effect power

transistor in a plastic envelope

suitable for surface mount

applications.

The device is intended for use in

automotive and general purpose

switching applications.

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

Drain-source voltage

Drain current (DC)

3.2

1.8

150

0.10

˚C

Ω

P_tot

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Drain-source on-state

R_DS(ON)

resistance;

V_GS= 5 V

PINNING - SOT223

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

gate

drain

source

drain (tab)

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

±V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

Storage temperature

Junction temperature

T_amb= 25 ˚C

T_amb= 100 ˚C

T_amb= 25 ˚C

3.2

2.0

1.8

150

I_D

I_DM

P_tot

T_stg

T_j

- 55

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-sp}

R_{th j-amb}

From junction to solder point¹

From junction to ambient

Mounted on any PCB

Mounted on PCB of fig.18

K/W

1 Temperature measured at solder joint on drain tab.

September 1995

Rev 1.200

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK583-60A-T	NXP	获取价格	暂无描述
BUK583-60ATRL	NXP	获取价格	3.2A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK583-60ATRL13	NXP	获取价格	3.2A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK617-500AE	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET,
BUK617-500AE	NXP	获取价格	TRANSISTOR 29 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-227B, 4 PIN, FET Gener
BUK617-500BE	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET,
BUK6207-30C	NXP	获取价格	TRANSISTOR 90 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, D
BUK6207-55C	NXP	获取价格	90A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
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