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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 220 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK438W-800A,127 | NXP |
获取价格 |
7.6A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
|
| BUK438W-800A127 | NXP |
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TRANSISTOR 7.6 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpos |
|
| BUK438W800B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK438W-800B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK438W-800B,127 | NXP |
获取价格 |
6.6A, 800V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
|
| BUK438W-800B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.6 A, 800 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, FET General Purpose |
|
| BUK439-60A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-93 |
|
| BUK441-100A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK441-100B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 100 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK441-60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
|
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