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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK444-200B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK444-200B,127 | NXP |
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4.7A, 200V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK444-200B127 | NXP |
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TRANSISTOR 4.7 A, 200 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| BUK444-400B | NXP |
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TRANSISTOR 2.4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK444-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK444-500B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.9 A, 500 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444-600B | NXP |
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TRANSISTOR 1.5 A, 600 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444-60H | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK444-800 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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