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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 22 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 85 ns | 最大开启时间（吨）： | 54 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK442-50A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK442-50B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK442-60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
|
| BUK442-60B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | SOT-186 |
|
| BUK443-100A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK443-100B | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| BUK443-50A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK443-50B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK443-60A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 13 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK443-60B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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