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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK444-60H | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK444-800 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK444-800A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK444-800A | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK444-800A,127 | NXP |
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1.4A, 800V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK444-800A/B | ETC |
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TRANSISTOR TO 220 MOSFET ISOLIERT |
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| BUK444-800A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.4 A, 800 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
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| BUK444-800B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK444-800B | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK444-800B,127 | NXP |
获取价格 |
1.2A, 800V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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