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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK444-200A127 | NXP |
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TRANSISTOR 5.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| BUK444-200B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK444-200B,127 | NXP |
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4.7A, 200V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| BUK444-200B127 | NXP |
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TRANSISTOR 4.7 A, 200 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| BUK444-400B | NXP |
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TRANSISTOR 2.4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK444-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK444-500B | NXP |
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TRANSISTOR 1.9 A, 500 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444-600B | NXP |
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TRANSISTOR 1.5 A, 600 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444-60H | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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