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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 30 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 105 ns | 最大开启时间（吨）： | 60 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK444-800B,127 | NXP |
获取价格 |
1.2A, 800V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK444-800B127 | NXP |
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TRANSISTOR 1.2 A, 800 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
|
| BUK445-100A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK445-100B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK445-100B-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK445-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK445-200A,127 | NXP |
获取价格 |
7.6A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| BUK445-200A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 7.6 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FE |
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| BUK445-200B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK445-200B,127 | NXP |
获取价格 |
7A, 200V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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