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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK443-50A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK443-50B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK443-60A | NXP |
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TRANSISTOR 13 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK443-60B | NXP |
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TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK444 | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK444-200 | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK444-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK444-200A,127 | NXP |
获取价格 |
BUK444-200A |
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| BUK444-200A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| BUK444-200B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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