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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 54 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK108-50GL,118 | NXP |
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13.5A, 50V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK108-50GL118 | NXP |
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TRANSISTOR 13.5 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Powe |
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| BUK108-50GS | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK108-50GS/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 15 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK109-50DL | NXP |
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IC 26 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, Peripheral Driver |
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| BUK109-50DL,118 | NXP |
获取价格 |
IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, Peripheral Driver |
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| BUK109-50DL/T3 | NXP |
获取价格 |
IC 26 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, Peripheral Driver |
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| BUK109-50DLT/R | NXP |
获取价格 |
IC 26 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, Peripheral Driver |
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| BUK109-50GL | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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| BUK109-50GL,118 | NXP |
获取价格 |
26A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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