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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK109-50GL118 | NXP |
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TRANSISTOR 26 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK109-50GS | NXP |
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TRANSISTOR 29 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK, 3 PIN, FET |
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| BUK109-50GS/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 29 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK, 3 PIN, FET |
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| BUK110-50DL | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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| BUK-110-50DL,118 | NXP |
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45A, 50V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK-110-50DL118 | NXP |
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TRANSISTOR 45 A, 50 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK110-50GL | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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| BUK110-50GL,118 | NXP |
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BUK110-50GL - PowerMOS transistor Logic level TOPFET D2PAK 3-Pin |
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| BUK110-50GL/T3 | NXP |
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IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO3, SOT404, 3 PIN, Peripheral Driver |
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| BUK110-50GS | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor TOPFET |
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