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BUK114-50S,118

更新时间: 2024-11-13 21:16:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 562K
描述
15A, 50V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

BUK114-50S,118 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.125 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUK114-50S,118 数据手册

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