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BUK-110-50DL,118

更新时间: 2024-09-26 03:21:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 378K
描述
45A, 50V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

BUK-110-50DL,118 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (ID):45 A
最大漏源导通电阻:0.035 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):180 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

BUK-110-50DL,118 数据手册

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