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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 700 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 6 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 34 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BU508DF/B | ETC |
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TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
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| BU508DF_12 | COMSET |
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SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR |
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| BU508DFI | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BU508DFI | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU508DFI | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS |
|
| BU508DLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic |
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| BU508DR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
|
| BU508DW | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU508DW | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU508DW | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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