是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.42 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 8 A |
集电极-发射极最大电压: | 700 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-218 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN (315) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 7 MHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BU508DR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR | |
BU508DW | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BU508DW | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BU508DW | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor | |
BU508DX | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BU508DX | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BU508DX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor | |
BU508F | CDIL |
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NPN POWER TRANSISTORS | |
BU508F | TRSYS |
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NPN POWER TRANSISTORS | |
BU508FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218 |