BU508DFI

更新时间： 2024-11-14 09:02:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU508DFI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BU508DFI 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU508DFI

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High voltage,high speed

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits

of colour TV receivers.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

CONDITIONS

VALUE

1500

700

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CP

P_tot

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

2.5

℃/W

12 3

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