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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 27 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ017NE2LS5I_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSZ017NE2LS5IATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ018N04LS6 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ018NE2LS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ018NE2LSI | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ019N03LS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSZ019N03LSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ021N04LS6 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ023N04LS | INFINEON |
获取价格 |
New OptiMOS⢠40V and 60V |
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